通知

中華民國110年11月29日

聯絡人：楊弘道組長、何鴻裕專員

電話：2717162/傳真：2717165

一、本案係科技部111年度「次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫」案，自即日起受理申請，依來文須於111年1月26日（星期三）前文抵科技部，請有意申請教師於111年1月19日（星期三）晚上12時前完成線上申請作業，並於111年1月20日（星期四）中午12時前列印申請書首頁送至本處彙辦。

二、本計畫目標為因應在電源、混合動力與電動車、B5G/6G高頻元件/系統等應用，將以國內矽基半導體和光電產業為基礎，擴展次世代化合物半導體領域，研究項目分成兩個分項，分項內容如下：

(一)B5G/6G高頻通訊關鍵半導體技術：專注於氮化鎵（GaN）、磷化銦（InP）於超高速的元件技術開發。

(二)下世代寬能隙高壓功率半導體技術：專注於氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）、氧化鎵（Ga2O3）及鑽石（Diamond）等寬能隙材料。

三、本計畫以單一整合型計畫為限，每一整合型計畫之總計畫及所有子計畫全部書寫於一份計畫書，子計畫應為3個（含）以上，最多以不超過6個為原則。總計畫主持人須同時主持1項子計畫，各主持人應實質參與研究，計畫書應詳實註明各主持人負責之研究主題，整合之計畫需有整體明確的目標，並由總計畫主持人之服務機關提出申請。本計畫申請人應規劃四年(111 年 5 月 1 日至 115 年 4 月 30 日止)， 採分年核定多年期計畫方式辦理，每年度申請總額度以不超過2,200萬元為原則。

四、本案相關申請詳細資訊請參閱徵求公告。

五、檢送來文及相關附件如附檔，請各單位協助轉知所屬知悉。

此致

各學院

研究發展處敬啟